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IXTA60N10T
IXTP60N10T
90
Fig. 7. Input Admittance
70
Fig. 8. Transconductance
80
60
T J = - 40oC
70
50
60
50
40
25oC
40
30
T J = 150oC
25oC
- 40oC
30
20
150oC
20
10
0
10
0
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
7.0
7.5
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
180
V GS - Volts
Fig. 9. Forward Voltage Drop of
Intrinsic Diode
10
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
160
140
9
8
V DS = 50V
I D = 10A
I G = 10mA
7
120
6
100
5
80
60
40
20
0
T J = 150oC
T J = 25oC
4
3
2
1
0
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
V SD - Volts
Fig. 11. Capacitance
Q G - NanoCoulombs
Fig. 12. Maximum Transient Thermal
Impedance
10,000
f = 1 MHz
1.00
Ciss
1,000
0.10
Coss
100
Crss
10
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
V DS - Volts
Pulse Width - Seconds
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS REF: T_60N10T(2V)8-07-08-A
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